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1000层超高密度3D NAND，迎来重要里程碑_蜘蛛资讯网

直接晶圆间铜键合技术的多层单元阵列CMOS（MSA-CBA）结构中的四层单元（QLC）运行。两家公司认为，这一成果是实现超过1000层的超高密度3D闪存的重要技术里程碑，并将于2026年6月在美国夏威夷举行的“2026年超大规模集成电路研讨会”（VLSI Symposium 2026）上联合发布。          克

bsp;   2026 年 VLSI 研讨会将于 2026 年 6 月 14 日至 18 日举行。铠侠和闪迪将在研讨会上联合发表他们的研究成果，题为“用于 1000 字线以上超高密度 3D 闪存的晶圆对晶圆铜直接键合多层堆叠单元阵列架构”。          两家公司解释说，这项成果克服了

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发布时间：02:36:00